长鑫科技发布投资计划：研发项目241亿，后道测试二期108亿

　　长鑫科技发布公告，拟使用超募资金人民币130亿元投资新建技术研发项目。同时，拟通过增资和借款方式，向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供超募资金人民币50亿元，由后者投资新建“长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目”。

　　根据公告，技术研发项目规划总投资金额达241亿元，建设周期30个月；后道测试基地二期项目规划总投资额为108亿元，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试及模组组装。

　　此次投资指向明确：一方面加码存储器核心技术研发，另一方面补强后道测试环节产能。后道测试是DRAM芯片量产的关键一环，二期项目建成后，有望提升长鑫存储在测试及模组组装方面的自主能力，支撑其产能扩张与产品交付。

　　长鑫科技此次动用超募资金，说明其IPO募集资金在满足原定项目后仍有较大余量。在存储芯片行业竞争加剧、国产替代加速的背景下，上述布局有助于公司夯实技术储备、完善产业链配套。不过，项目尚需履行相应审批程序，建设周期较长，后续进展及资金使用效率值得持续关注。

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